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晶圆(Wafer-KGD):650V 11A 380mΩ Super-junction Pow MOSFET

来源:米乐m6登录平台    发布时间:2024-02-24 03:08:46

  • 产品描述:...

产品详细

  40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了苛刻的车规级可靠性认证,该产品选用TO263-7贴片封装,具有体积较小,设备简易快捷,损耗更低的特色。

  车规级TO263-7封装助力高效高密运用 /

  IGBT 作为一种功率半导体器材,大范围的运用于工业节能、电动汽车和新能源配备等范畴。IGBT 具有节能、设备快捷、保护便利、散热安稳等特色,是能量转化和传输的中心设备。瑞能的

  IGBT产品在电功能和可靠性等方面具有许多优势,内行业界也处于领先地位。

  IGBT的结构解析 /

  全球闻名半导体制造商ROHM(总部在日本京都市)开宣布选用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压

  ,依据P&S的超结原理。报价设备供给了快速切换的一切优点而且导通电阻低,使其十分适合于需求更多高效,更紧凑,LED照明,高 功能适配器等。

  系列产品的功能指标 /

  圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(

  /6A SiC二极管 /

  一起完成业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻,可逐渐下降工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压

  Factor Correction circuit) /

  润新微电子(Runxin Microelectronics)侥幸推出了最新一代的

  GaN功率晶体管(FET),该产品具有杰出的功能和广泛的运用范畴。 产品特色: 易于运用:

  Factor Correction circuit) /

  ,CCM图腾柱PFC的高频半桥挑选了两个并联器材。 PFC的低频半桥以及CLLC谐振转化器的直流母线侧和电池侧均挑选单个C3

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